單項選擇題砂漿回彈法每個測位應(yīng)均勻布置()彈擊點,選定彈擊點應(yīng)避開磚的邊緣、灰縫中的氣孔。
A.12個
B.15個
C.16個
D.18個
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1.單項選擇題砂漿回彈法彈擊點處應(yīng)磨掉表面砂漿,深度應(yīng)為()。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
2.單項選擇題位雙剪法檢測時,下列哪個部位可以布設(shè)測點()。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C.完整墻體中部
D.獨立磚柱
3.單項選擇題砂漿回彈法測試碳化深度時應(yīng)用濃度為()的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
4.單項選擇題砂漿片試件的剪切測試,應(yīng)對試件勻速連續(xù)施加荷載,加荷速度不宜大于(),直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
5.單項選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測強儀上下刀片中心間距為()。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題