單項選擇題原位壓力機的力值應(yīng)每（）校驗一次。
A.3個月
B.5個月
C.6個月
D.1年
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1.單項選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點多于一個時，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
2.單項選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
3.單項選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應(yīng)少于（）；應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標準，進行磚的抗壓強度試驗和強度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
4.單項選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應(yīng)選用有較大局部破損的檢測方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
5.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測方法和在墻體上選定測點，（）測點可以位于門窗洞口處。
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題