A、對于整個試驗應準備五個試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為(100±1)mm×(100±1)mm
D、試件在試驗前至少在(23±2)℃和相對濕度30%~70%的條件下放置20h
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A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
A、距邊緣100mm以上
B、距邊緣20mm以上
C、距邊緣50mm以上
D、距邊緣80mm以上
A、取中值作為結(jié)果
B、取最小值作為結(jié)果
C、取最大值作為結(jié)果
D、取平均值作為結(jié)果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
A、試件任一端涂蓋層不應與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應超過胎基
C、試件無流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個試件符合要求可判定為合格
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()