A、試件任一端涂蓋層不應(yīng)與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應(yīng)超過(guò)胎基
C、試件無(wú)流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個(gè)試件符合要求可判定為合格
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A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類(lèi)卷材
C、18242-2008中G類(lèi)卷材
D、高分子卷材中FS2類(lèi)片材
A、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到1N/cm
C、扯斷伸長(zhǎng)率精確到1%
D、扯斷伸長(zhǎng)率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標(biāo)≥800N/50mm
B、最大拉力時(shí)伸長(zhǎng)率指標(biāo)≥40%
C、耐熱性指標(biāo)為70℃，2h無(wú)位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標(biāo)為-25℃，無(wú)裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。