A、距邊緣100mm以上
B、距邊緣20mm以上
C、距邊緣50mm以上
D、距邊緣80mm以上
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、取中值作為結(jié)果
B、取最小值作為結(jié)果
C、取最大值作為結(jié)果
D、取平均值作為結(jié)果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
A、試件任一端涂蓋層不應(yīng)與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應(yīng)超過胎基
C、試件無流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個試件符合要求可判定為合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
A、斷裂拉伸強度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強度精確到1N/cm
C、扯斷伸長率精確到1%
D、扯斷伸長率精確到0.1%
最新試題
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
PN結(jié)的基本特性是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()