A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗方法
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A、棱柱體抗壓強度試驗方法
B、立方體抗壓強度試驗方法
C、圓球體抗壓強度試驗方法
D、圓柱體抗壓強度試驗方法
A、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,此次試驗的結果無效。
B、把3個試件測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的15%時,此次試驗的結果無效。
D、3個彈性模量試驗試件中,僅有1個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,則按另2個試件的彈性模量測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、<C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準應力為3.3MPa,控制應力為11.0MPa
B、基準應力為3.3MPa,控制應力為33.0MPa
C、基準應力為0.5MPa,控制應力為11.0MPa
D、基準應力為0.5MPa,基準應力為33.0MPa
最新試題
PN結的基本特性是()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;