A、基準應力為3.3MPa,控制應力為11.0MPa
B、基準應力為3.3MPa,控制應力為33.0MPa
C、基準應力為0.5MPa,控制應力為11.0MPa
D、基準應力為0.5MPa,基準應力為33.0MPa
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、變形測量儀應安裝于試件一側
B、變形測量儀應安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應安裝于試件兩側的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應預先開好安裝槽
A、每次試驗應制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進行軸心抗壓強度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標準規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進行軸心抗壓強度試驗,另5個用于測定彈性模量
A、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強度值。
C、同組3個試件測值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%,則該組試件的試驗結果無效。
D、同組3個試件測值中,最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。