A、＜C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對
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A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa，控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa，基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個(gè)承壓面上，承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另3個(gè)用于測定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測定彈性模量，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另5個(gè)用于測定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）