A、<C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
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A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準應(yīng)力為0.5MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準應(yīng)力為0.5MPa,基準應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
A、每次試驗應(yīng)制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進行軸心抗壓強度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標準規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進行軸心抗壓強度試驗,另5個用于測定彈性模量
A、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。