A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
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A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、鋼墊板
C、成型試模
D、砼抗?jié)B儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼振動(dòng)臺(tái)
C、微變形測量儀
D、砼坍落度儀
A、壓力試驗(yàn)機(jī)
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列是晶體的是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()