多項選擇題砼力學性能試驗的儀器設備包括有()。
A、壓力試驗機
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題砼力學性能試件的尺寸構造有公差要求的包括有()。
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質量
D、試件相鄰面的垂直度
2.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼抗折強度標準試件。
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
3.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件可用作砼抗折強度試件。
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
4.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼靜力受壓彈性模量非標準試件。
A、200×200×400mm棱柱體
B、Φ200×400mm圓柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、100×100×300mm棱柱體
5.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件可用作砼軸心抗壓強度試件。
A、200×200×400mm棱柱體
B、100×100×300mm棱柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、200×200×600mm棱柱體
最新試題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
題型:單項選擇題
PN結的基本特性是()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題