A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時,構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護時,應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個養(yǎng)護階段
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A、帶模蓄熱養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、養(yǎng)護坑濕熱養(yǎng)護
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護
A、澆水濕潤養(yǎng)護
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護
C、冬季蓄熱養(yǎng)護
D、噴涂養(yǎng)護劑養(yǎng)護
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評定試件
D、吊裝試件
A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時,宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時,應(yīng)多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時,應(yīng)分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時間段交替泵送不同強度等級砼時,輸送管中不得混入其它不同強度等級砼
A、炎熱天氣時,砼拌合物入模溫度不應(yīng)高于35℃
B、炎熱天氣時,宜選擇晚間澆筑砼
C、現(xiàn)場溫度高于35℃時,宜對金屬模板進行澆水降溫,但不得留有積水
D、現(xiàn)場溫度高于35℃時,宜采取遮擋措施避免陽光直射金屬模板
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
硅片拋光在原理上不可分為()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
PN結(jié)的基本特性是()