A、澆水濕潤養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、冬季蓄熱養(yǎng)護(hù)
D、噴涂養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)護(hù)
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A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評定試件
D、吊裝試件
A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時,宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時,應(yīng)多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時,應(yīng)分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時間段交替泵送不同強(qiáng)度等級砼時,輸送管中不得混入其它不同強(qiáng)度等級砼
A、炎熱天氣時,砼拌合物入模溫度不應(yīng)高于35℃
B、炎熱天氣時,宜選擇晚間澆筑砼
C、現(xiàn)場溫度高于35℃時,宜對金屬模板進(jìn)行澆水降溫,但不得留有積水
D、現(xiàn)場溫度高于35℃時,宜采取遮擋措施避免陽光直射金屬模板
A、采用機(jī)動翻斗車或手推車運輸砼時,道路應(yīng)整平
B、采用攪拌罐車運輸砼時,卸料前應(yīng)采用快檔旋轉(zhuǎn)攪拌罐不少于20s
C、因運輸時間長造成拌合物流動度損失過大時,可在澆筑前加入適量水
D、采用泵送砼時,砼運輸應(yīng)保證砼連續(xù)泵送
A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長砼拌合物初凝時間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
硅片拋光在原理上不可分為()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。