PN結(jié)的基本特性是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列是晶體的是（）。 

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）