對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）