與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）