對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。