那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。