問答題我國墻體材料的改革趨勢是什么?墻體材料有哪幾大類?
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1.單項選擇題可用作硅片的研磨材料是()
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
2.單項選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾
3.單項選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
A.施主
B.受主
C.復合中心
D.兩性雜質(zhì)
4.單項選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
5.單項選擇題如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復合中心
6.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷
7.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向()
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
8.單項選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
9.單項選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
A.漂移遷移率
B.電導遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
10.單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題