多項(xiàng)選擇題集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器根據(jù)其觸發(fā)方式的不同,可分為()。

A.非重復(fù)觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
B.重復(fù)觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.電平觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.沿觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器


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1.多項(xiàng)選擇題單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器工作特性具有的顯著特點(diǎn)是()。

A.它有穩(wěn)態(tài)和暫穩(wěn)態(tài)兩個(gè)不同的狀態(tài)。
B.在外界觸發(fā)脈沖作用下,能從穩(wěn)態(tài)翻轉(zhuǎn)到暫穩(wěn)態(tài),在暫穩(wěn)態(tài)維持一段時(shí)間后,再自動(dòng)返回穩(wěn)態(tài)。
C.暫穩(wěn)態(tài)維持時(shí)間的長(zhǎng)短取決于電路本身的參數(shù),與觸發(fā)脈沖的寬度和幅度無(wú)關(guān)。
D.暫穩(wěn)態(tài)維持時(shí)間的長(zhǎng)短取決于觸發(fā)脈沖的寬度。

2.多項(xiàng)選擇題施密特觸發(fā)器可用于()

A.脈沖展寬電路
B.脈沖幅度鑒別
C.脈沖整形與變換
D.脈沖產(chǎn)生

3.多項(xiàng)選擇題目前常用的施密特觸發(fā)器是()

A.TTL集成施密特觸發(fā)器
B.用分立元件構(gòu)成的施密特觸發(fā)器
C.CMOS集成施密特觸發(fā)器
D.555定時(shí)器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器

4.多項(xiàng)選擇題施密特觸發(fā)器是一種特殊的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,與一般觸發(fā)器相比較,它具有()兩個(gè)明顯的特點(diǎn)。

A.具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。
B.觸發(fā)方式為電平觸發(fā),適用與變化緩慢的信號(hào)。
C.具有一個(gè)穩(wěn)態(tài)和一個(gè)暫穩(wěn)態(tài)。
D.對(duì)正向和負(fù)向增長(zhǎng)的輸入信號(hào),電路有不同的閥值電平。

5.多項(xiàng)選擇題雙極性555和CMOS型555的制作工藝和流程不同,雖然它們的性能指標(biāo)是有差異的。但是它們具有()的共同點(diǎn)。

A.功能相同,外形和管腳排列一致。
B.都使用單電源供電。
C.輸出為2/3VCC電平。
D.電源電壓變化對(duì)振蕩頻率和定時(shí)精度影響下

6.多項(xiàng)選擇題當(dāng)555定時(shí)器2腳和6腳輸入端的電壓都在1/3VCC和2/3VCC之間時(shí),555輸出()。

A.高電平
B.低電平
C.高低電平都有可能
D.無(wú)法確定

7.多項(xiàng)選擇題對(duì)555時(shí)基電路的描述正確的是()

A.555在電路結(jié)構(gòu)上是由模擬電路和數(shù)字電路組合而成的。
B.555時(shí)基電路采用雙電源供電。
C.555可獨(dú)立構(gòu)成一個(gè)定時(shí)電路,且定時(shí)精度高。
D.555的最大輸出電流達(dá)200mA,帶負(fù)載能力強(qiáng)。

8.多項(xiàng)選擇題單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器可用來(lái)()。

A.產(chǎn)生矩形波
B.產(chǎn)生延遲作用
C.實(shí)現(xiàn)定時(shí)功能
D.把緩慢信號(hào)變成矩形波

9.多項(xiàng)選擇題下面對(duì)石英晶體多諧振蕩器的優(yōu)點(diǎn)敘述不正確的是()。

A.電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜
B.振蕩頻率低
C.頻率穩(wěn)定度低
D.抗干擾性強(qiáng)

10.多項(xiàng)選擇題下列波形屬于脈沖信號(hào)的是()。

A.正弦波
B.矩形波
C.鋸齒波
D.尖脈沖