A.飽和區(qū)和放大區(qū)
B.放大區(qū)和截止區(qū)
C.飽和區(qū)和截止區(qū)
D.集電區(qū)和發(fā)射區(qū)
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A.全局布線區(qū)
B.通用邏輯塊
C.輸出布線區(qū)
D.輸出控制單元
A.可編程邏輯陣列
B.可編程陣列邏輯
C.通用陣列邏輯
D.專用陣列邏輯
A.與非與非
B.異或
C.最簡與或
D.最簡或與
A.PROM
B.EPROM
C.SRAM
D.PLA
A.與門陣列
B.或門陣列
C.與非門陣列
D.輸入緩沖器
最新試題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
用1M×4的DRAM芯片通過()擴展可以獲得4M×8的存儲器。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入()路編碼信號。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案,比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn),設(shè)計方案是最佳嗎?簡述理由。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了()對轉(zhuǎn)換精度的影響。