硅片拋光在原理上不可分為（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列是晶體的是（）。 

PN結(jié)的基本特性是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。