與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）