只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）