單項選擇題國家標準規(guī)定水泥生產(chǎn)要控制SO3含量不得超過()。
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
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1.單項選擇題水泥窯尾廢氣溫度大約在()。
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
2.單項選擇題以下哪種不是主要的水泥組成材料()。
A、熟料
B、石膏
C、混合材
D、石灰石
3.單項選擇題不同窯型生產(chǎn)的熟料最易磨的為()。
A、立窯熟料
B、濕法回轉(zhuǎn)窯熟料
C、干法回轉(zhuǎn)窯熟料
D、回轉(zhuǎn)要熟料+礦渣
4.單項選擇題水泥煅燒過程中,固相反應(yīng)發(fā)生在()。
A、干燥帶
B、預(yù)熱帶
C、放熱反應(yīng)帶
D、燒成帶
5.單項選擇題阿利特在適量液相存在的條件下,生成溫度大約在()。
A、800℃
B、1250℃
C、1600℃
D、2000℃
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題