單項選擇題高鋁礬土按其成因可分為（）和風化兩種類型。
A、沉淀
B、溶解
C、粉合
D、A+B
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1.單項選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中，BaO可以穩(wěn)定（）。
A、α-C2S
B、C3A
C、β-C2S
D、γ-C2S
2.單項選擇題在陶瓷工業(yè)生產(chǎn)中，白云石和方解石及滑石一樣，可以用來配制釉料起（）作用。
A、融化
B、熔劑
C、溶質(zhì)
D、熔制
3.單項選擇題在陶瓷和玻璃工業(yè)中常用之做熔劑原料是（）。
A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
4.單項選擇題石英的主要化學成分為（）。
A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
5.單項選擇題當O/Si比小時，主要為斷鍵作用，助熔作用強烈；當O/Si比大時主要為積聚作用的是哪類原料在玻璃中的作用（）。
A、長石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題