A、長石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
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A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長大
C、提高產(chǎn)品的機械強度
D、提高介電性能
A、能提供游離氧使玻璃結(jié)構(gòu)中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.3%
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列是晶體的是()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。