單項選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中，BaO可以穩(wěn)定（）。
A、α-C2S
B、C3A
C、β-C2S
D、γ-C2S
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1.單項選擇題在陶瓷工業(yè)生產(chǎn)中，白云石和方解石及滑石一樣，可以用來配制釉料起（）作用。
A、融化
B、熔劑
C、溶質(zhì)
D、熔制
2.單項選擇題在陶瓷和玻璃工業(yè)中常用之做熔劑原料是（）。
A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
3.單項選擇題石英的主要化學(xué)成分為（）。
A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
4.單項選擇題當O/Si比小時，主要為斷鍵作用，助熔作用強烈；當O/Si比大時主要為積聚作用的是哪類原料在玻璃中的作用（）。
A、長石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
5.單項選擇題長石類原料在陶瓷生產(chǎn)中的作用（）。
A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長大
C、提高產(chǎn)品的機械強度
D、提高介電性能
最新試題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題