A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
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A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()