A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
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A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機(jī)械強(qiáng)度
D、補(bǔ)償坯體收縮作用
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
可用作硅片的研磨材料是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()