下列是晶體的是（）。 

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

PN結的基本特性是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）