最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。