硅片拋光在原理上不可分為（）

PN結(jié)的基本特性是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。