鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法