對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。