屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

可用作硅片的研磨材料是（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。