改良西門子法的顯著特點不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

硅片拋光在原理上不可分為（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）