載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法