熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）