填空題原位軸壓法試驗(yàn)時(shí),應(yīng)在上槽內(nèi)的下表面和扁式千斤頂?shù)捻斆妫瑧?yīng)分別均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂或石膏等材料的墊層,墊層厚度可?。ǎ﹎m。

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2.多項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法,可按測試內(nèi)容分為下列幾類()。

A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強(qiáng)度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強(qiáng)度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強(qiáng)度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法

3.多項(xiàng)選擇題原位軸壓法適用于推定240mm厚()的抗壓強(qiáng)度。

A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體

4.多項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測中調(diào)查階段應(yīng)包括下列哪些工作內(nèi)容()。

A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境

最新試題

下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()

題型:單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項(xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

題型:單項(xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:單項(xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。

題型:單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項(xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();

題型:單項(xiàng)選擇題