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A.檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用原位軸壓法
B.檢測砌體抗剪強度可采用原位單剪法、原位雙剪法
C.檢測砌體抗壓強度可用用原位軸壓法、扁頂法、切制抗壓試件法
D.檢測砌筑塊體抗壓強度可采用燒結(jié)磚回彈法、取樣法
A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
A.計算
B.分析
C.強度推定
D.采集
E.計數(shù)
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。