A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.收集被檢測工程的圖紙、施工驗收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測試資料
B.工程建設(shè)時間
C.進一步明確檢測原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測情況
E.檢測環(huán)境
A.標準
B.型號
C.產(chǎn)品說明書
D.使用時間
A.計算
B.分析
C.強度推定
D.采集
E.計數(shù)
A.現(xiàn)場檢測
B.委托檢測
C.見證檢測
D.抽樣檢測
A、上水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時,在避免擾動四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
PN結(jié)的基本特性是()