多項(xiàng)選擇題切制試件法的切制試件的抗壓試驗(yàn)步驟，應(yīng)包括試件試驗(yàn)機(jī)底板上的（）等檢測及測試事項(xiàng)。

A.對中方法
B.試件頂面找坡方法
C.加荷制度
D.裂縫觀察
E.初裂荷載及破壞荷載


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1.多項(xiàng)選擇題原位單剪法檢測時(shí)，測試部位宜選在（）或范圍內(nèi)，試件具體尺寸應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。

A．窗洞口
B．后砌窗下墻處
C．其他洞口下三皮磚
D．離樓面層近

2.多項(xiàng)選擇題以下哪些符合切制試件法的測試步驟（）。

A.試件運(yùn)至試驗(yàn)室后，應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿，然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1：3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1：1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時(shí)，應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座

3.多項(xiàng)選擇題芯柱的作用是（）。

A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載

4.多項(xiàng)選擇題扁頂法測試砌體受壓彈性模量時(shí)，下列要求正確的是（）。

A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對變形測量腳標(biāo)，腳標(biāo)應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫，宜取250mm
C、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取270mm~300mm
E、測試前應(yīng)記錄標(biāo)距值，并應(yīng)精確至0.1mm

5.多項(xiàng)選擇題以下哪些是切制試件法的測試步驟（）

A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng)，然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運(yùn)過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
E.需要長距離運(yùn)輸試件時(shí)，宜用草繩等材料緊密捆綁試件

最新試題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：單項(xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

題型：單項(xiàng)選擇題

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型：單項(xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：單項(xiàng)選擇題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：單項(xiàng)選擇題

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

題型：單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：單項(xiàng)選擇題

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項(xiàng)選擇題