A.試件運(yùn)至試驗室后,應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿,然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1:3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1:1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時,應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
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A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對變形測量腳標(biāo),腳標(biāo)應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測試前應(yīng)記錄標(biāo)距值,并應(yīng)精確至0.1mm
A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進(jìn)撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動,然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運(yùn)過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動的措施
E.需要長距離運(yùn)輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應(yīng)測量3次,并應(yīng)取其平均值
B、開槽時不應(yīng)操作測點(diǎn)部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
C、槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測試工作
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列哪個不是單晶常用的晶向()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。