A.抗震設防
B.加強房屋結構延性
C.加強房屋耐久性
D.加強房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
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A.應在槽間砌體兩側各粘貼一對變形測量腳標，腳標應位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔4條水平灰縫，宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫，宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應相隔3條水平灰縫，宜取270mm~300mm
E、測試前應記錄標距值，并應精確至0.1mm
A.應鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿，并應伸進撬棍，應將水平灰縫撬松動，然后應小心抬出試件
D.試件搬運過程中，應防止碰撞，并應采取減小振動的措施
E.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B、開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
C、槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護試件強度
B、同條件養(yǎng)護試件強度被判為不合格
C、現(xiàn)場混凝土結構構件未按規(guī)定養(yǎng)護
D、鋼筋保護層厚度不滿足要求
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。