A.機架應有足夠的強度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機應操作靈活,并應固定和移動方便
C.切割機的鋸切深度不應小于240mm
D.切割機宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機的鋸切深度不應小于370mm
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A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
A、《砌體結(jié)構(gòu)設計規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗收統(tǒng)一標準》
D、《砌體基本力學性能試驗方法標準》
E、《砌體工程現(xiàn)場檢測技術(shù)標準》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強度試驗報告單
C、各檢驗批的主控項目、一般項目的驗收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
PN結(jié)的基本特性是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
改良西門子法的顯著特點不包括()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()