單項(xiàng)選擇題在抗震設(shè)防烈度為8度及8度以上地區(qū)，對(duì)不能同時(shí)砌筑而又必須六只的臨時(shí)間斷處應(yīng)砌成斜槎，普通磚砌體斜槎水平投影長度不應(yīng)小于高度的（）。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
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1.單項(xiàng)選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家，燒結(jié)普通磚、混凝土實(shí)心磚沒（）為一檢驗(yàn)批，不足數(shù)量時(shí)按1批計(jì)，抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
2.單項(xiàng)選擇題夾心復(fù)合墻的砌筑，拉結(jié)件設(shè)置應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，拉結(jié)件在葉墻上的擱置長度不應(yīng)小于葉墻厚度的2/3，并不應(yīng)小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
3.單項(xiàng)選擇題配置砌筑砂漿時(shí)，各組分材料應(yīng)采用質(zhì)量計(jì)量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
4.單項(xiàng)選擇題砌筑砂漿應(yīng)進(jìn)行配合比設(shè)計(jì)，當(dāng)砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時(shí)，其砂漿稠度應(yīng)為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
5.單項(xiàng)選擇題扁頂法的特點(diǎn)有（）。
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時(shí)，容易測(cè)出抗壓強(qiáng)度
D.檢測(cè)部位局部破損
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題