A.50kN
B.60kN
C.80kN
D.100kN
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A.2
B.3
C.4
D.5
A.測(cè)試時(shí)，應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開(kāi)鑿好的孔洞中，并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開(kāi)鑿孔洞過(guò)長(zhǎng)時(shí)，在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過(guò)程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀，應(yīng)勻速施加水平荷載，并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對(duì)位移，試件達(dá)到破壞狀態(tài)
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
最新試題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
PN結(jié)的基本特性是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；