A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
A.試件搬運(yùn)過(guò)程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng)，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長(zhǎng)距離運(yùn)輸試件時(shí)，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
最新試題
在光線(xiàn)作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）