A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
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A.試件搬運過程中,應防止碰撞,并應采取減小振動的措施
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿,并應伸進撬棍,應將水平灰縫撬松動,然后應小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應測量3次,并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整,并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列是晶體的是()。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。